国外名校最新教材精选模拟CMOS集成电路设计（美）毕查德·拉扎维（Behzad Razavi）著 2018年版

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资料名称：	国外名校最新教材精选模拟CMOS集成电路设计（美）毕查德·拉扎维（Behzad Razavi）著 2018年版
文件类型：	PDF文档
文件大小：	221.24 MB
资料归类：	电子信息
整理时间：	2024-03-15
软件简介：	国外名校最新教材精选模拟CMOS集成电路设计作者：（美）毕查德·拉扎维（Behzad Razavi）著出版时间：2018年版丛编项：国外名校最新教材精选内容简介　　本书是模拟CMOS集成电路设计方面的经典教材，介绍模拟CMOS集成电路的分析与设计，着重讲解该技术的新进展和设计实例，从MOSFET器件的基本物理特性开始，逐章分析CMOS放大单元电路、差分放大器、频率响应、噪声、反馈放大器与稳定性、运算放大器、电压基准源与电流基源、离散时间系统、差分电路及反馈系统中的非线性、振荡器和锁相环等基础模拟电路的分析与设计。本书还介绍了集成电路的基本制造工艺、版图和封装设计的基本原则。本书自出版以来得到了国内外读者的好评和青睐，被许多国际知名大学选为教科书。同时，由于原著者在世界知名公司的丰富研究经历，使本书也非常适合作为CMOS模拟集成电路设计或相关领域的研究人员和工程技术人员的参考书。目录第2版译者序第1版译者序第2版前言第1版前言第2版致谢第1版致谢作者简介第1章模拟电路设计绪论 1．1 模拟电路的重要性 1．1．1 信号的检测与处理 1．1．2 数字信号传输中的模拟设计 1．1．3 需求旺盛的模拟设计 1．1．4 模拟设计的挑战 1．2 研究模拟集成电路的重要性 1．3 研究CMOS模拟集成电路的重要性 1．4 本书的特点 1．5 电路设计的抽象级别第2章 MOS器件物理基础 2．1 基本概念 2．1．1 MOSFET开关 2．1．2 MOSFET的结构 2．1．3 MOS符号 2．2 MOS的I-V特性 2．2．1 阈值电压 2．2．2 I-V特性的推导 2．2．3 MOSFET的跨导 2．3 二级效应 2．4 MOS器件模型 2．4．1 MOS器件版图 2．4．2 MOS器件电容 2．4．3 MOS小信号模型 2．4．4 MOS SPICE模型 2．4．5 NMOS与PMOS器件的比较 2．4．6 长沟道器件与短沟道器件的比较 2．5 附录A：鳍式场效应晶体管（FinFET） 2．6 附录B：用作电容器的MOS器件的特性参考文献习题第3章单级放大器 3．1 应用 3．2 概述 3．3 共源级 3．3．1 采用电阻作负载的共源级 3．3．2 采用二极管连接型器件作负载的共源级 3．3．3 采用电流源作负载的共源级 3．3．4 有源负载的共源级 3．3．5 工作在线性区的MOS为负载的共源级 3．3．6 带源极负反馈的共源级 3．4 源跟随器 3．5 共栅级 3．6 共源共栅级 3．6．1 折叠式共源共栅 3．7 器件模型的选择习题第4章差动放大器 4．1 单端与差动的工作方式 4．2 基本差动对 4．2．1 定性分析 4．2．2 定量分析 4．2．3 带源极负反馈的差动对 4．3 共模响应 4．4 MOS为负载的差动对 4．5 吉尔伯特单元参考文献习题第5章电流镜与偏置技术 5．1 基本电流镜 5．2 共源共栅电流镜 …… 第6章放大器的频率特性第7章噪声第8章反馈第9章运算放大器第10章稳定性与频率补偿第11章纳米设计分析第12章带隙基准第13章开关电容电路导论第14章非线性与不匹配第15章振荡器第16章锁相环第17章短沟道效应与器件模型第18章 CMOS工艺技术第19章版图与封装索引
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