军用电子元器件总装备部电子信息基础部编 2009年版

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资料名称：	军用电子元器件总装备部电子信息基础部编 2009年版
文件类型：	PDF文档
文件大小：	257.79 MB
资料归类：	电子信息
整理时间：	2024-03-28
软件简介：	军用电子元器件作者：总装备部电子信息基础部编出版时间：2009年版内容简介　　《军用电子元器件》内容为：当前，世界正在进行着一场新的军事变革。信息化是这场新军事变革的本质和核心。实现武器装备信息化的必要条件是高水平、高可靠的军用电子元器件。为加快我国军用电子元器件的发展，从而促进武器装备信息化的进程，特编写此书。全书共分为9篇，按照大的军用电子元器件门类如微电子器件、微电子机械、光电子器件、真空电子器件、化学与物理电源、机电组件与通用元件、特种元件等各自作为一篇。对于每一门类的元器件，又划分成种类作为章、节，对各种元器件的基本工作原理，主要技术参数及主要应用领域进行了描述；为加深读者对元器件的理解，对各类元器件的基本制造工艺也进行了专门介绍；与元器件相关的主要支撑技术材料、设备和封装外壳以及可靠性技术也作为独立的篇章进行了介绍；对军用电子元器件技术发展趋势及方向提出了预测。《军用电子元器件》可为从事武器装备发展的各级管理人员提供参考，有利于了解军用电子元器件及其应用；为武器装备系统的研制人员应用电子元器件提供技术参考，以利于更好的使用国产元器件。目录第1篇微电子器件第1章硅数字集成电路 1．1 慨述 1．1．1 定义与分类 1．1．2 发展过程 1．1．3 特点和需求 1．2 微处理器 1．2．1 概述 1．2．2 主要技术性能 1．2．3 应用范围 1．2．4 技术发腮趋势 1．3 数字信号处理器 1．3．1 概述 1．3．2 主要技术性能 1．3．3 应用范围 1．3．4 技术发展趋势 1．4 微控制器 1．4．1 概述 1．4 2主要技术性能 1．4．3 应用范围 1．4．4 技术发展趋势 1．5 存储器 1．5．1 概述 1．5．2 主要技术性能 1．5．3 应用范围 1．5．4 技术发展趋势 1．6 总线接口 1．6．1 概述 1．6．2 技术发展趋势 1．7 专用集成电路 1．7．1 概述 1．7．2 主要技术性能 1．7．3 应用范围 1．7．4 技术发展趋势 1．8 可编程逻辑器件 1．8．1 概述 1．8．2 主要技术性能 1．8．3 应用范围 1．8．4 技术发展趋势参考文献第2章硅模拟／混合信号集成电路 2．1 慨述 2．1．1 定义和分类 2．1．2 技术发展趋势 2．1．3 应用用范围 2．2 放大器 2．2．1 概述 2．2．2 集成运算放大器 2．2．3 功率放大器 2．2．4 RF放大器与低噪声放大器 2．3 A／D转换器 2．3．1概述 2．3．2 主要技术性能 2．3．3 应用范围 2．3．4 技术发展趋势 2．4 D／A转换器 2．4．1 概述 2．4．2 主要技术性能 2．4．3 应用范围 2．4．4 技术发展趋势 2．5 射频集成电路 2．5．1 概述 2．5．2 主要技术性能 2．5．3 应用范围 2．5．4 技术发展趋势 2．6 电源及电源管理电路 2．6．1 概述 2．6．2 主要技术性能 2．6．3 应嗣范围 2．6．4 技术发展趋势 2．7 其他类型的模拟／混合信号集成电路 2．7．1 模拟专用集成电路 2．7．2 其他类型的数据转换器 2．7．3 接口集成电路 2．7．4 模拟开关和多路选择器参考文献第3章微波毫米波器件与电路 3．1 概述 3．1．1 基本分类 3．1．2 发展概况 3．1．3 应用范围 3．2 硅微波功率器件 3．2．1 概述 3．2．2 主要技术性能 3．2．3 应用范围 3．2．4 技术发展趋势 3．3 砷化镓微波功率器件 3．3．1 概述 3．3．2 主要技术性能 3．3．3 应用范围 3．3．4 技术发展趋势 3．4 砷化镓低噪声场效应晶体管 3．4．1 概述 3．4．2 主要技术性能 3．4．3 应用范围 3．4．4 技术发腮趋势 3．5 磷化铟毫米波器件 3．5．1 概述 3．5．2 主要技术性能 3．5．3 应用范围 3．5．4 技术发展趋势 3．6 微波毫米波二极管 3．6．1 概述 3．6．2 主要技术性能 3．6．3 应用范围 3．6．4 技术发展趋势 3．7 单片功率放大器 3．7．1 概述 3．7．2 主要技术性能 3．7 3应用范围 3．7．4 技术发展趋势 3．8 单片低噪声放大器 3．8．1 概述 3．8 2主要技术性能 3．8．3 应用范围 3．8．4 技术发展趋势 3．9 单片振荡器和单片混频器 3．9．1 概述 3．9．2 主要技术性能 3．9．3 应用范围 3．9．4 技术发展趋势 3．10 单片开关和单片衰减器 3．10．1 概述 3．10．2 主要技术性能 3．10．3 应用范围 3．10．4 技术发展趋势 3．11 单片移相器 3．11．1 概述 3．11．2 主要技术性能 3．11．3 应用范尉 3．11．4 技术发展趋势 3．12 多功能单片微波集成电路 3．12．1 概述 3．12．2 主要技术性能 3．12．3 应用范围 3．12．4 技术发展趋势参考文献第4章砷化镓超高速集成电路 4．1 慨述 4．1．1 砷化镓趟高速集成电路中的高速器件 4．1．2 砷化镓超高速集成电路的单元逻辑电路结构 4．2 砷化镓高速分频器 4．2．1 概述 4．2．2 主要技术性能 4．2．3 产品应用范围 4．2．4 技术发展趋势 4．3 砷化镓模／数转换器与数／模转换搽 4．3．1 概述 4．3．2 砷化镓模／数转换器和数／模转换器的主要技术性能 4．3．3 应用范围 4．3．4 技术发展趋势 4．4 砷化镓多路逃择器与多路分配器 4．4．1 慨述 4．4．2 砷化镓多路选择器和多路分配器主要技术性能 4．4．3 应用范围 4．4．4 技术发展趋势 4．5 砷化镓门阵列 4．5．1 概述 4．5．2 主要技术性能 4．5．3 应用范围 4．5．4 技术发展趋势 4．6 直接数字频率合成器 4．6．1 概述 4．6．2 砷化镓直接数字频率台成器主要技术性能 4．6．3 应用范围 4．6．4 技术发展趋势 4．7 数字射频存储器 4．7．1 概述 4．7．2 主要技术性能 4，7．3 产品应用范围 4．7．4 技术发展趋势 4．8 新型超高速器件参考文献第5章宽禁带半导体器件与电路 5．1 概述 5．1．1 宽禁带半导体的基本概念 5．1．2 宽禁带半导体器件分类 5．1．3 宽禁带半导体技术现状 5．1．4 应用范围 5．2 宽禁带半导体器件 5．2．1 GaN基HEMT微波器件 5．2．2 其他GaN基电子器件 5．2．3 碳化硅微波功率器件 5．2．4 碳化硅功率器件 5．3 宽禁带半导体光电器件 5．3．1 GaN基光电器件 5．3．2 碳化硅探测器件 5．4 其他宽禁半导体器件 5．4．1 氧化锌器件 5．4．2 单光子器件 5．4．3 宽禁带半导体纳米结构器件 5．4．4 基于GaN的子带问跃迁光开关 5．4．5 氮化物光催化剂参考文献第6章功率半导体器件与功率集成电路第7章混合集成电路与多芯片组件第8章抗辐射器件与电路第9章片上系统第10章微电子工艺第二篇微电子机械系统第三篇光电子元器件第四篇军用真空电子器件第五篇化学与物理电源第六篇特种元器件第七篇机电组件与通用元件第八篇支撑技术第九篇质量与可靠性参考文献
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